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公开(公告)号：CN118684189A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410829999.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于微电子器件真空封装的吸气剂结构及制造方法，属于半导体技术领域，包括：衬底；吸气剂，设置在衬底的一侧；加热器，设置在衬底的一侧；温度传感器，设置在衬底的一侧；其中，吸气剂、加热器和温度传感器位于衬底的同一面，且吸气剂在衬底上的正投影、加热器在衬底上的正投影以及温度传感器在衬底上的正投影无交叠；两个第一引出电极，设置在衬底的一侧，两个第一引出电极分别位于吸气剂的两端，且与吸气剂电连接。通过本申请提供的一种用于微电子器件真空封装的吸气剂结构及制造方法，可以简化吸气剂结构的加工工艺的同时实现对吸气剂的激活程度的监测。
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公开(公告)号：CN118754054A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410829997.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于微电子器件真空封装的吸气剂激活装置及方法，属于半导体技术领域，包括：激励电路模块，与驱动模块的驱动电极连接；驱动模块，与加热器连接；信号读取模块，分别与检测结构和吸气剂连接，信号读取模块用于读取检测结构检测到的谐振结构产生的振动位移信号，以及用于读取吸气剂产生的阻抗参数；激活控制模块，分别与信号读取模块和驱动模块连接，激活控制模块用于接收电压信号，并根据电压信号，控制驱动模块与加热器之间通路的开启或关闭。通过本申请提供的一种用于微电子器件真空封装的吸气剂激活装置及方法，可以实现对吸气剂的激活工艺过程进行定量控制，以及实现对器件封装真空度的定量控制。
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公开(公告)号：CN118684188A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410829992.2
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法，属于半导体技术领域，包括：衬底，衬底上形成有多个通孔电极，多个通孔电极包括两个第一电极、两个第二电极和若干第三电极；第一吸气剂，设置在衬底的一侧，第一吸气剂位于两个第一电极之间；器件层，设置在衬底的一侧，器件层包括可动单元和用于支撑可动单元的多个支撑单元；封帽基板，设置在器件层背离衬底的一侧；第二吸气剂，设置在封帽基板朝向衬底的一侧。通过本申请提供的一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法，可以对器件密封腔体的真空度变化、吸气剂的激活程度以及吸气剂是否正常工作等关键工艺进行监控，形成对晶圆级真空封装工艺质量的量化评价。
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