公开(公告)号：CN109585650B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201811469105.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨玉超 ,  程彩蝶 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法。该器件包括绝缘衬底和位于衬底上的底电极、阻变层、介质层和顶电极，其中，所述底电极位于绝缘衬底之上，介质层位于底电极之上，该介质层中经图形化刻蚀出孔结构，孔的底部暴露出底电极；阻变层覆盖在该孔底部和侧壁，以及包裹在该孔周围的介质层上；顶电极位于阻变层上；阻变层和介质层皆为半导体材料，但阻变层中的离子迁移率或离子浓度与介质层不同，且介质层的厚度大于阻变层。通过在顶、底电极上施加电压，改变介质层和阻变层中的电场强度分布，使介质层和阻变层发生离子的交互作用，从而影响阻变层中导电细丝的形成和熔断动力学，进而有效的模拟突触周围环境对突触可塑性的影响。

公开(公告)号：CN109585650A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811469105.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨玉超 ,  程彩蝶 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法。该器件包括绝缘衬底和位于衬底上的底电极、阻变层、介质层和顶电极，其中，所述底电极位于绝缘衬底之上，介质层位于底电极之上，该介质层中经图形化刻蚀出孔结构，孔的底部暴露出底电极；阻变层覆盖在该孔底部和侧壁，以及包裹在该孔周围的介质层上；顶电极位于阻变层上；阻变层和介质层皆为半导体材料，但阻变层中的离子迁移率或离子浓度与介质层不同，且介质层的厚度大于阻变层。通过在顶、底电极上施加电压，改变介质层和阻变层中的电场强度分布，使介质层和阻变层发生离子的交互作用，从而影响阻变层中导电细丝的形成和熔断动力学，进而有效的模拟突触周围环境对突触可塑性的影响。

公开(公告)号：CN111883540A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010585672.9

申请日：2020-06-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨玉超 ,  程彩蝶 ,  黄如

IPC: H01L27/11585 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法。本发明采用两个反向串联的铁电隧穿结器件组成的三端铁电隧穿结存储器来实现布尔逻辑运算，以两个铁电隧穿结器件的操作电压作为逻辑门的输入，读出的电流即为逻辑值，通过外加操作电压和读取电压改变输出结果，实现逻辑操作，运算结果存储在三端铁电隧穿结存储器中。不需要多余的擦写操作，不会造成计算能量的散失，这种计算与存储融合的可逆逻辑门在算法上可以进一步降低计算网络的功耗问题，在未来新型计算架构方面具备极大的应用价值，对于未来的类脑计算硬件的实现具有重要的意义。