公开(公告)号：CN112987446B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110295858.5

申请日：2021-03-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡小永 ,  龚旗煌 ,  齐慧欣 ,  杜卓晨 ,  牛欣翔

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度下降算法的全光开关及其实现方法。本发明在梯度下降算法中引入了非线性的计算方法，利用三阶非线性光学克尔效应，通过信号光激发材料的三阶非线性光学响应来改变纳微光子结构材料的介电分布情况，在信号光作用下非线性材料折射率与强度有关，基于梯度下降算法的反向设计为实现的光子器件提供了一个通用的平台，利于实现纳米光子器件的设计与集成；而非线性算法的引入有利于更复杂功能器件的设计，拓宽了器件设计的思路，丰富了器件设计的功能；工艺优化算法的引入大大降低了器件优化的效率；基于反向设计实现的全光集成器件在先进光子电路、全光信息处理、光通信等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112987446A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110295858.5

申请日：2021-03-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐慧欣 ,  杜卓晨 ,  牛欣翔 ,  胡小永 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度下降算法的全光开关及其实现方法。本发明在梯度下降算法中引入了非线性的计算方法，利用三阶非线性光学克尔效应，通过信号光激发材料的三阶非线性光学响应来改变纳微光子结构材料的介电分布情况，在信号光作用下非线性材料折射率与强度有关，基于梯度下降算法的反向设计为实现的光子器件提供了一个通用的平台，利于实现纳米光子器件的设计与集成；而非线性算法的引入有利于更复杂功能器件的设计，拓宽了器件设计的思路，丰富了器件设计的功能；工艺优化算法的引入大大降低了器件优化的效率；基于反向设计实现的全光集成器件在先进光子电路、全光信息处理、光通信等领域具有广阔的应用前景。