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公开(公告)号：CN100356527C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510086323.8
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是在衬底材料上按照常规MOSFET工艺形成栅电极图形后，以栅电极图形为掩模进行离子注入掺杂，在源漏处形成表面低掺杂的表面层和内部高掺杂的隐埋层。再在栅电极两侧形成侧墙，并以该侧墙为掩模分别在源漏两侧开槽以露出高掺杂的隐埋层，然后利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂层腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。
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公开(公告)号：CN1731570A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510086324.2
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是通过扩散或离子注入以及外延工艺，在半导体衬底表面形成低掺杂层，并在其下形成高掺杂的隐埋层，再利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂区腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。本发明的制备方法和传统CMOS工艺相兼容，制备出的器件结合了纳米MOSFET器件制作工艺的两种新技术的优点，具有较高的实用价值，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN100356528C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510086324.2
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是通过扩散或离子注入以及外延工艺，在半导体衬底表面形成低掺杂层，并在其下形成高掺杂的隐埋层，再利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂区腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。本发明的制备方法和传统CMOS工艺相兼容，制备出的器件结合了纳米MOSFET器件制作工艺的两种新技术的优点，具有较高的实用价值，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN1731569A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510086323.8
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是在衬底材料上按照常规MOSFET工艺形成栅电极图形后，以栅电极图形为掩模进行离子注入掺杂，在源漏处形成表面低掺杂的表面层和内部高掺杂的隐埋层。再在栅电极两侧形成侧墙，并以该侧墙为掩模分别在源漏两侧开槽以露出高掺杂的隐埋层，然后利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂层腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。
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