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公开(公告)号：CN103208589A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310092728.7
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于卤化钙作为阴极缓冲层的OLED器件及其制备方法。通过在有机电子传输层和阴极金属之间插入卤化钙，制作基于卤化钙作为阴极缓冲层的OLED器件。本发明通过改善电子的注入能力与传输能力，提高OLED器件的电流效率，降低器件的启亮电压，从而改善了OLED器件发光性能及器件效率。
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