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公开(公告)号：CN115021080B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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公开(公告)号：CN114825047B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110088818.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于渐变铝镓氮电子阻挡异质结的高功率激光二极管，该激光二极管是在衬底上从下到上依次层叠设置的n型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型渐变AlxGa1‑xN层和p型GaN接触层，其中p型渐变AlxGa1‑xN层由下到上Al组分含量x从0.1～0.2的某一数值线性渐变至0。本发明的激光二极管中，渐变AlGaN层同时承载着光场限制层以及电子阻挡层的作用，相比于电子阻挡层加限制层的传统激光器结构，本发明的渐变层结构通过掺杂调制实现了更高的电子势垒，且具有更大的势垒厚度，利于提高激光二极管的功率，在大功率工作条件下既具有更好的电子阻挡作用，漏电流明显减小，又同时具有更好的空穴注入效果，从而提升了器件效率。
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公开(公告)号：CN115021080A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210702420.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形成非吸收窗口。本发明解决了现有技术无法适用于GaN基材料的缺点，不仅能有效提高端面的禁带宽度，减小端面对激射波长的吸收，提高激光器的可靠性和寿命，而且与激光器制备工艺兼容，制备工艺简单，成本极低。
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公开(公告)号：CN114825047A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110088818.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于渐变铝镓氮电子阻挡异质结的高功率激光二极管，该激光二极管是在衬底上从下到上依次层叠设置的n型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型渐变AlxGa1‑xN层和p型GaN接触层，其中p型渐变AlxGa1‑xN层由下到上Al组分含量x从0.1～0.2的某一数值线性渐变至0。本发明的激光二极管中，渐变AlGaN层同时承载着光场限制层以及电子阻挡层的作用，相比于电子阻挡层加限制层的传统激光器结构，本发明的渐变层结构通过掺杂调制实现了更高的电子势垒，且具有更大的势垒厚度，利于提高激光二极管的功率，在大功率工作条件下既具有更好的电子阻挡作用，漏电流明显减小，又同时具有更好的空穴注入效果，从而提升了器件效率。
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