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公开(公告)号：CN113204130B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110458676.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非厄米效应的二维可控拓扑态器件及其实现方法。本发明包括：衬底和微盘；其中，多个全同的微盘排列成一排，使得相邻微盘之间的耦合强度满足余弦调制，从而形成一维AAH阵列，满足这种余弦调制的耦合强度关系的一维AAH阵列，在合成维度上具有规范场，一维AAH阵列总是拓扑的，一维AAH阵列总有零维边界态的存在；将多排一维AAH阵列排列成二维阵列，相邻的行和相邻的列之间同样满足余弦调制的耦合强度关系，从而得到二维AAH阵列；本发明通过非厄米导致的破缺，在二维AAH构型内部构建出新的拓扑通道，提高了拓扑态的可调控性，丰富了产生拓扑态的手段。
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公开(公告)号：CN113204130A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110458676.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非厄米效应的二维可控拓扑态器件及其实现方法。本发明包括：衬底和微盘；其中，多个全同的微盘排列成一排，使得相邻微盘之间的耦合强度满足余弦调制，从而形成一维AAH阵列，满足这种余弦调制的耦合强度关系的一维AAH阵列，在合成维度上具有规范场，一维AAH阵列总是拓扑的，一维AAH阵列总有零维边界态的存在；将多排一维AAH阵列排列成二维阵列，相邻的行和相邻的列之间同样满足余弦调制的耦合强度关系，从而得到二维AAH阵列；本发明通过非厄米导致的破缺，在二维AAH构型内部构建出新的拓扑通道，提高了拓扑态的可调控性，丰富了产生拓扑态的手段。
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