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公开(公告)号：CN119968100A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510451283.X
申请日：2025-04-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法。本发明采用硅锗量子阱结构，与传统硅MOS工艺兼容，避免了开发新材料基底的高成本，能够方便地匹配现有的硅基集成电路；本发明通过栅压调控载流子浓度，能够分别适应恒压和恒流工作模式；并且能够调控至高迁移率，有效降低器件的散热和功耗；此外，栅压能灵活调节霍尔元件的灵敏度，匹配不同负载下的磁场范围，适应不同的应用需求；本发明方案显著提升了器件的性能和工作灵活性，使单个器件兼具高灵敏度测量能力，并适应多种工作模式，有助于减少元件数量，优化电路设计，并提升大规模集成与开发的便利性；本发明应用于磁场测量，尤其适用于低温环境下微弱磁场的探测。
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