公开(公告)号：CN100527525C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610089304.5

申请日：2006-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志宏 ,  施文典

IPC: H01P1/12

Abstract: 本发明提供一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，属于射频微机电开关(RF MEMS Switch)的技术领域。该方法利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。本发明利用非掺杂的多晶硅作为RF MEMS开关驱动结构和接触结构之间的互联结构，在实现机械互联的同时，能够有效达到电学绝缘的效果。其方法简单实用、不需要额外淀积绝缘薄膜，避免了绝缘薄膜应力引入的翘曲变形，并提高互联结构的机械强度和可靠性。

公开(公告)号：CN101090169A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200610089304.5

申请日：2006-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志宏 ,  施文典

IPC: H01P1/12

Abstract: 本发明提供一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法，属于射频微机电开关(RF MEMS Switch)的技术领域。该方法利用一次多晶硅的生长，制备RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。本发明利用非掺杂的多晶硅作为RF MEMS开关驱动结构和接触结构之间的互联结构，在实现机械互联的同时，能够有效达到电学绝缘的效果。其方法简单实用、不需要额外淀积绝缘薄膜，避免了绝缘薄膜应力引入的翘曲变形，并提高互联结构的机械强度和可靠性。