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公开(公告)号：CN113562703A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010380339.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片的制备方法。将前驱体硒源、铁盐和卤素源溶解于高沸点胺类有机溶剂中，高温反应硒化，通过极性有机液体沉淀得到超薄铁硒化合物纳米片。其中超薄六方相FeSe纳米片厚度仅为5层，相当于2.9纳米，径向尺寸0.6‑2.2微米，元素分布均匀。该材料表现出室温反铁磁性，奈尔温度远高于室温。同时其电导率随温度升到而增大，表现出半导体特性。除此之外，该方法制备的超薄Fe7Se8纳米片具有本征磁性。本发明以前驱体有机硒源、铁盐和卤素制备了超薄铁硒化合物纳米片，在自旋电子学领域具有潜在应用，制备方法简单易行，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117417651A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210840367.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面活性剂对四氧化三铁纳米颗粒表面进行功能化修饰的方法。将铁盐分散于高沸点有机溶剂中分解，通过极性有机液体沉淀得到四氧化三铁纳米颗粒。其中四氧化三铁纳米颗粒的平均粒径约为25纳米。将该四氧化三铁纳米颗粒通过表面活性剂进行乳化改性，再利用有机酸和醇进行表面功能化修饰，获得可连接荧光基团、蛋白、DNA、病毒等分子的羧基化水溶性四氧化三铁纳米颗粒，平均粒径约为115纳米。该发明在光学、生物医学、环境科学、材料、催化、能源和磁存储等领域具有潜在的应用价值，制备方法简单易行，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN113562703B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010380339.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片的制备方法。将前驱体硒源、铁盐和卤素源溶解于高沸点胺类有机溶剂中，高温反应硒化，通过极性有机液体沉淀得到超薄铁硒化合物纳米片。其中超薄六方相FeSe纳米片厚度仅为5层，相当于2.9纳米，径向尺寸0.6‑2.2微米，元素分布均匀。该材料表现出室温反铁磁性，奈尔温度远高于室温。同时其电导率随温度升到而增大，表现出半导体特性。除此之外，该方法制备的超薄Fe7Se8纳米片具有本征磁性。本发明以前驱体有机硒源、铁盐和卤素制备了超薄铁硒化合物纳米片，在自旋电子学领域具有潜在应用，制备方法简单易行，适合工业化生产。
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