公开(公告)号：CN101718939B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200910235973.2

申请日：2009-11-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 富聿岚 ,  胡小永 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开了一种光子晶体微腔结构及其制作方法，属于光电子技术领域。本发明的光子晶体微腔结构，包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物；本发明的方法为：1)在衬底上生长一层半导体薄膜；2)在半导体薄膜上刻蚀光子晶体微腔结构；3)在光子晶体微腔结构上制备一层有机覆盖层；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。与现有技术相比，本发明的光子晶体微腔制备的光开关具有高Q值、低泵浦功率低功率、开关时间响应快的特点，同时加工和制备方便，非常利于集成。

公开(公告)号：CN101718939A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910235973.2

申请日：2009-11-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 富聿岚 ,  胡小永 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开了一种光子晶体微腔结构及其制作方法，属于光电子技术领域。本发明的光子晶体微腔结构，包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物；本发明的方法为：1)在衬底上生长一层半导体薄膜；2)在半导体薄膜上刻蚀光子晶体微腔结构；3)在光子晶体微腔结构上制备一层有机覆盖层；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。与现有技术相比，本发明的光子晶体微腔制备的光开关具有高Q值、低泵浦功率低功率、开关时间响应快的特点，同时加工和制备方便，非常利于集成。