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公开(公告)号：CN101985774B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010536975.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种合成单晶纳米线阵列的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法首先选择蒸汽压的前驱体，然后结合模板，采用气相沉积的方法，利用生长环境中的水蒸气或者其它具有湿度的载气完成反应，最终生长得到纳米线沉积到模板的孔道中，形成单晶纳米线阵列。本发明所制备的材料具有长度可调，直径可调，可以得到品质优良的单晶等诸多优点，解决了以往纳米线合成中易于被污染，长度、直径不可控，晶体质量差，所得纳米线产量稀少以及实验重复性差等缺点。
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公开(公告)号：CN101985774A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010536975.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种合成单晶纳米线阵列的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法首先选择蒸汽压的前驱体，然后结合模板，采用气相沉积的方法，利用生长环境中的水蒸气或者其它具有湿度的载气完成反应，最终生长得到纳米线沉积到模板的孔道中，形成单晶纳米线阵列。本发明所制备的材料具有长度可调，直径可调，可以得到品质优良的单晶等诸多优点，解决了以往纳米线合成中易于被污染，长度、直径不可控，晶体质量差，所得纳米线产量稀少以及实验重复性差等缺点。
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