公开(公告)号：CN103281039B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310129783.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖怀林 ,  杨帆 ,  廖毓 ,  夏韬 ,  刘茂强 ,  王海超

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明公开一种采用延迟控制泄放支路的差分E类功率放大器，该功率放大器在差分支路设置并联的晶体管组成电流泄放支路，在泄放支路的信号控制端接入电感使控制信号产生相位延迟。本发明利用辅助泄放支路以降低寄生电阻的影响，提高功率放大器的效率；利用电感对控制信号进行延迟，以优化晶体管在不同时间的功率损失。本发明的E类功率放大器具有结构简单、效率高、制造成本低和便于在片集成的优点。

公开(公告)号：CN104980173B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410138677.1

申请日：2014-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖怀林 ,  夏韬 ,  郭盈 ,  陈龙 ,  杨帆 ,  张兴

IPC: H04B1/04

Abstract: 本发明涉及一种逆D类功率单元，以及采用该逆D类功率单元的全数字射频发射前端集成电路结构。该逆D类功率单元采用I/Q正交‑差分四相结构，差分的两条支路分别由I/Q两路并联而成，每一路均使用两层或多层共源共栅晶体管；I/Q两路在漏极直接相连，形成电流加和。逆D类放大单元的四相LO使用25%占空比的LO信号，由静态与逻辑门控制，从共源管的栅极输入。该射频发射前端集成电路结构包括四相二分频LO信号产生电路，LO驱动/控制电路，以及上述逆D类功率单元。本发明的射频发射前端的输入‑输出响应具有良好的单调性和一致性，具有良好的适配性和可重构性，制造成本低，是一种高性能的全数字正交上变频发射机。

公开(公告)号：CN104980173A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410138677.1

申请日：2014-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖怀林 ,  夏韬 ,  郭盈 ,  陈龙 ,  杨帆 ,  张兴

IPC: H04B1/04

Abstract: 本发明涉及一种逆D类功率单元，以及采用该逆D类功率单元的全数字射频发射前端集成电路结构。该逆D类功率单元采用I/Q正交-差分四相结构，差分的两条支路分别由I/Q两路并联而成，每一路均使用两层或多层共源共栅晶体管；I/Q两路在漏极直接相连，形成电流加和。逆D类放大单元的四相LO使用25%占空比的LO信号，由静态与逻辑门控制，从共源管的栅极输入。该射频发射前端集成电路结构包括四相二分频LO信号产生电路，LO驱动/控制电路，以及上述逆D类功率单元。本发明的射频发射前端的输入-输出响应具有良好的单调性和一致性，具有良好的适配性和可重构性，制造成本低，是一种高性能的全数字正交上变频发射机。

公开(公告)号：CN103281039A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310129783.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖怀林 ,  杨帆 ,  廖毓 ,  夏韬 ,  刘茂强 ,  王海超

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明公开一种采用延迟控制泄放支路的差分E类功率放大器，该功率放大器在差分支路设置并联的晶体管组成电流泄放支路，在泄放支路的信号控制端接入电感使控制信号产生相位延迟。本发明利用辅助泄放支路以降低寄生电阻的影响，提高功率放大器的效率；利用电感对控制信号进行延迟，以优化晶体管在不同时间的功率损失。本发明的E类功率放大器具有结构简单、效率高、制造成本低和便于在片集成的优点。