公开(公告)号：CN110676381B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810706835.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  吴疆 ,  叶冯俊 ,  杨文强 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种图案化钙钛矿单晶阵列及其光电器件的制备方法，包括：将钙钛矿前驱液通过浸润性辅助的涂布法图案化成点阵阵列；通过基于奥氏熟化的结晶流程，将图案化的钙钛矿前驱液阵列结晶为图案化的钙钛矿单晶阵列。本发明方法制备的钙钛矿单晶阵列具有良好的单晶性和平整度，还可以用以制备具有二极管多层式结构的图案化钙钛矿单晶阵列器件，在实际应用中效果显著。

公开(公告)号：CN110676381A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201810706835.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  吴疆 ,  叶冯俊 ,  杨文强 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种图案化钙钛矿单晶阵列及其光电器件的制备方法，包括：将钙钛矿前驱液通过浸润性辅助的涂布法图案化成点阵阵列；通过基于奥氏熟化的结晶流程，将图案化的钙钛矿前驱液阵列结晶为图案化的钙钛矿单晶阵列。本发明方法制备的钙钛矿单晶阵列具有良好的单晶性和平整度，还可以用以制备具有二极管多层式结构的图案化钙钛矿单晶阵列器件，在实际应用中效果显著。