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公开(公告)号：CN118569332B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410669696.0
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0495 , G11C11/54 , G06F15/78 , G06F7/544
Abstract: 本发明公开一种神经网络专用存内计算读出装置及其控制方法，涉及集成电路设计技术领域，电流传感电路依次进行电导转换、电流缩小和电流相减，得到处理后电流，积分触发电路基于处理后电流对积分电容进行积分，得到总电压，总电压为当前量化周期的处理后电流产生的积分电压和上一量化周期的残余电压的和值，同时产生正向计数脉冲或负向计数脉冲，双向计数器电路在接收到正向计数脉冲或负向计数脉冲时，令上一量化周期的计数值加1或减1，得到当前量化周期的计数值，并在当前量化周期为最后一个量化周期时，根据当前量化周期的计数值确定当前量化周期的激活值。本发明通过引入残余量累积功能来显著降低量化误差。
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公开(公告)号：CN116367704A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310341327.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开具有加热电极的三端忆阻器及其制作和操作方法，涉及半导体器件技术领域，三端忆阻器包括衬底、以及由下至上依次设置在衬底上的加热电极，底电极，阻变结构，顶电极；其中，阻变结构至少包括阻变层，加热电极包括：导电层、介电层、产热层；导电层设置在衬底上，并被介电层覆盖；导电层暴露于介电层之外部分，作为与外部进行电连接的导电部；产热层贯穿设置在介电层中，并分别与导电层和底电极相连接；其中，介电层隔离了底电极和导电层，当在导电层与底电极之间施加电压脉冲时，产热层产生热量，以对阻变层进行加热，而加热可促进氧空位的生成或迁移，进而降低忆阻器的工作电压。
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公开(公告)号：CN118569332A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410669696.0
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0495 , G11C11/54 , G06F15/78 , G06F7/544
Abstract: 本发明公开一种神经网络专用存内计算读出装置及其控制方法，涉及集成电路设计技术领域，电流传感电路依次进行电导转换、电流缩小和电流相减，得到处理后电流，积分触发电路基于处理后电流对积分电容进行积分，得到总电压，总电压为当前量化周期的处理后电流产生的积分电压和上一量化周期的残余电压的和值，同时产生正向计数脉冲或负向计数脉冲，双向计数器电路在接收到正向计数脉冲或负向计数脉冲时，令上一量化周期的计数值加1或减1，得到当前量化周期的计数值，并在当前量化周期为最后一个量化周期时，根据当前量化周期的计数值确定当前量化周期的激活值。本发明通过引入残余量累积功能来显著降低量化误差。
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