公开(公告)号：CN108155090A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711349704.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  解楠 ,  王明星 ,  孙元浩 ,  刘百银 ,  秦志新

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明涉及一种AlN外延薄膜及其制备方法和应用。本发明结合图形化蓝宝石衬底或AlN模板和高温退火两个核心环节，通过侧向外延过程和高温退火有效减少残余应力的途径，获得无裂纹、原子级平整、位错密度很低的AlN外延薄膜，对实现AlGaN基深紫外高性能发光和探测器件及产业应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN108767055B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810373012.7

申请日：2018-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  王明星 ,  解楠 ,  孙元浩 ,  刘百银 ,  王新强 ,  秦志新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x

公开(公告)号：CN108767055A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810373012.7

申请日：2018-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  王明星 ,  解楠 ,  孙元浩 ,  刘百银 ,  王新强 ,  秦志新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x

公开(公告)号：CN108364852A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810058645.9

申请日：2018-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  解楠 ,  王明星 ,  孙元浩 ,  刘百银 ,  王新强 ,  秦志新

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)在(0001)面蓝宝石表面溅射AlN层；(2)制作具有纳米级凹面孔洞周期排列图形的AlN；(3)完成侧向外延聚合过程；(4)继续外延生长至目标厚度，得到AlN外延薄膜。本发明通过图形化溅射AlN模板和高温侧向外延两个核心环节，获得表面原子级平整、位错密度很低的AlN外延薄膜，对实现AlGaN基深紫外高性能光电器件及产业应用具有重要意义。