公开(公告)号：CN119995373A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510085030.5

申请日：2025-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金延 ,  高举 ,  刘子恒 ,  何佳音 ,  彭泓杰 ,  敖成康

IPC: H02M7/48 ,  H02M7/537 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明提供了一种支持宽负载范围恒流输出的E类谐振逆变电路，属于电路与系统技术领域。该电路包括输入单元、输出单元和负载网络，输入单元包括直流电源电压Vin、谐振电感Lin、谐振电容Cin和开关管S，输出单元包括滤波电感L1、滤波电容C1和C2，负载网络为负载电阻RL；输入单元的电感‑电容‑开关管组成的网络等效成恒定输出的交流电压源；输出单元的电容‑电感‑电容组成电压电流转换单元，将输入端交流电压源转换为交流电流源，使其等效为一个恒定电流输出的交流电流源；本发明无需外部反馈电路的控制而实现恒定电流输出，具有电路结构简单，可同时支持软开关、负载变化不敏感度等多方面指标的优化和折衷，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119865152A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411937278.1

申请日：2024-12-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金延 ,  刘子恒

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种高频GaN HEMT关断期间栅极误开启保护电路及设计方法，属于新型存储与计算技术领域。本发明电路在GaN HEMT器件的漏极端串联一个无源元件辅助网络，该无源元件辅助网络为一组并联连接的电感器和电容器，用于在GaN HEMT器件关断期间和器件米勒电容CGD组成栅‑漏连接链路到达器件栅极，减小GaN HEMT器件上等效的米勒电容，进而抑制通过米勒电容的电流的幅度，降低GaN HEMT器件栅极电压震荡的幅度。本发明无需在栅极加入任何阻性元件，不会降低GaN HEMT的开关切换速度；也未引入其他半导体器件或电路，不会带来额外的可靠性问题，现有电感器、电容器都可以工作在较大的电压和电流条件下，可以支持本发明技术效果的实现，具有广阔的应用前景。