公开(公告)号：CN111560604A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010542458.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 于葛亮 ,  张锦 ,  刘伟铭 ,  康斯坦丁·诺沃舍洛夫 ,  孙正乾 ,  杨金东

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种喷淋式进气CVD的垂直喷淋装置，它包括喷淋管与喷淋头，喷淋管的下端部固定有喷淋头，喷淋管的中段为具有螺旋管结构的预热区，在喷淋头的底板上开设有喷淋孔。本发明安装使用后，气体充分预热，气相碳源垂在喷淋装置内充分预热，使其反应更充分。气源喷淋射出，使气相碳源作用在基底上时有股压力，压力可以通过调节喷淋时间和喷气压力来调节，使二维材料更好的反应。

公开(公告)号：CN115676805A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110842354.0

申请日：2021-07-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  林德武 ,  谢颖 ,  刘伟铭 ,  钱柳

IPC: C01B32/159 ,  C01B32/162

Abstract: 本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列的制备方法，包括：S1，在单晶基底上加载催化剂前驱体，预氧化处理后得到适合生长碳纳米管的单晶基底，并放置于气相沉积设备中；S2，向所述化学气相沉积设备中通入惰性气体及氢气形成保护氛围；及S3，将反应物料通过喷淋方式均匀地喷出，其中喷淋方向垂直于所述单晶基底的生长表面。本发明的制备方法通过喷淋方式垂直喷射将反应物料引入气相沉积设备，从而形成相对均一稳定的气流并均匀作用到反应基底表面，有助于提高碳纳米管阵列的均匀性，因而制备的单壁碳纳米管水平阵列结晶性优异，水平阵列面积可达3.24cm2，平均密度可达20～40根/微米，同时制备方法具有稳定、可控、易放大等特点。

公开(公告)号：CN111560603A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010542448.1

申请日：2020-06-15

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 于葛亮 ,  张锦 ,  刘伟铭 ,  康斯坦丁·诺沃舍洛夫 ,  孙正乾 ,  杨金东

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种喷淋式进气CVD动态混气装置，在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐，在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子，在法兰上或者混合罐上固定有至少两个进气接头，在混合罐上固定有出气接头，在混合罐内转动安装有叶片轴，在叶片轴上固定有叶片；在定子内转动安装有主轴，主轴与叶片轴呈一体式同轴连接，在主轴内固定有强磁线圈，在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。本发明大大提高了二维材料生长用气体的混合效果，本发明还具有密封可靠、结构简单的优点。

公开(公告)号：CN212713746U

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202021104502.6

申请日：2020-06-15

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 于葛亮 ,  张锦 ,  刘伟铭 ,  康斯坦丁·诺沃舍洛夫 ,  孙正乾 ,  杨金东

IPC: C23C16/455

Abstract: 本实用新型涉及一种喷淋式进气CVD的垂直喷淋装置，它包括喷淋管与喷淋头，喷淋管的下端部固定有喷淋头，喷淋管的中段为具有螺旋管结构的预热区，在喷淋头的底板上开设有喷淋孔。本实用新型安装使用后，气体充分预热，气相碳源垂在喷淋装置内充分预热，使其反应更充分。气源喷淋射出，使气相碳源作用在基底上时有股压力，压力可以通过调节喷淋时间和喷气压力来调节，使二维材料更好的反应。

公开(公告)号：CN212316241U

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202021104409.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 于葛亮 ,  张锦 ,  刘伟铭 ,  康斯坦丁·诺沃舍洛夫 ,  孙正乾 ,  杨金东

IPC: C23C16/455

Abstract: 本实用新型涉及一种喷淋式进气CVD动态混气装置，在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐，在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子，在法兰上或者混合罐上固定有至少两个进气接头，在混合罐上固定有出气接头，在混合罐内转动安装有叶片轴，在叶片轴上固定有叶片；在定子内转动安装有主轴，主轴与叶片轴呈一体式同轴连接，在主轴内固定有强磁线圈，在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。本实用新型大大提高了二维材料生长用气体的混合效果，本实用新型还具有密封可靠、结构简单的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN306141944S

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202030303836.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 ,  北京大学

Designer： 于葛亮 ,  张锦 ,  刘伟铭 ,  康斯坦丁·诺沃舍洛夫 ,  孙正乾 ,  杨金东

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：喷淋式进气化学气相沉积系统设备。
2.本外观设计产品的用途：用于碳纳米管、石墨烯等二维材料实验的生长设备。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略仰视图。