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公开(公告)号：CN113031312B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110247073.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及一种辐射热流调制器件及其应用，该辐射热流调制器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，其间距为10nm‑10μm；所述第一辐射体设有相变层；所述相变层采用以下两种方式之一设置：悬空设置或覆盖于含孔隙或非金属材料的第一基底上，所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20％(V/V)以上。本发明的技术方案主要利用材料相变前后导致的近场热辐射效应中表面模式强度的差异，从而有效增强了近场辐射热流的调制。
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公开(公告)号：CN113845082A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111052867.8
申请日：2021-09-08
Abstract: 本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119290954A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411221723.4
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种热学测量装置，包括：基底、第一支撑梁、第二支撑梁、加热组件和量热组件。基底设有上端开口的腔体，第一支撑梁和第二支撑梁均设于所述基底的所述开口处，所述第一支撑梁和所述第二支撑梁均相对所述腔体的底壁悬空设置，所述第一支撑梁和所述第二支撑梁在第一水平方向上间隔设置，所述第一支撑梁和所述第二支撑梁的热导率相同；加热组件适于与待测样品热连接并设于第一支撑梁，所述加热组件配置为通电产生热量，所述加热组件还配置为受热时电阻值变化；量热组件适于与待测样品热连接并设于第二支撑梁，所述量热组件配置为受热时电阻值变化。本发明的热学测量装置，能够提高宏观尺度下待测样品的热学测量的精确性。
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公开(公告)号：CN120028378A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510103124.0
申请日：2025-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请属于微纳尺度热学测量技术领域，具体涉及一种热导率测量方法及测量装置，该热导率测量方法包括：提供热沉、多个微纳器件和待测样品，微纳器件具有第一热阻，待测样品具有第二热阻，待测样品与热沉及各接触区域之间分别形成接触热阻，第一热阻大于第二热阻且大于接触热阻；向第一个微纳器件的热学测量电路施加加热功率；获取待测样品分别与相邻的第二个和第三个微纳器件的接触区域的实际接触温度；获取流经待测样品的对应于第二个和第三个微纳器件之间的部分的实际热流功率；计算待测样品的热导；根据待测样品的几何尺寸和热导计算待测样品的热导率。本申请可以排除接触热阻的影响，提高测量精度，且结构简单、成本低廉、适用于批量化生产。
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公开(公告)号：CN119349495A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411229290.7
申请日：2024-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空微纳装置及悬空微纳装置的形成方法，其中，悬空微纳装置包括基底和支撑梁。所述基底设有上端开口的腔体。所述支撑梁设于所述腔体的开口处，所述支撑梁相对所述腔体的底端悬空设置，所述支撑梁具有在所述支撑梁周向方向依次设置的第一端部、第二端部和第三端部，所述第二端部在第一水平方向上位于所述第一端部和所述第三端部之间，所述第一端部和所述第三端部在上下方向上位于所述第二端部的同一侧，其中，所述基底和所述支撑梁均为单晶硅。本发明的悬空微纳装置，能够提高支撑梁的强度。
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公开(公告)号：CN113845082B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111052867.8
申请日：2021-09-08
Abstract: 本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。
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公开(公告)号：CN113031312A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110247073.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及一种辐射热流调制器件及其应用，该辐射热流调制器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，其间距为10nm‑10μm；所述第一辐射体设有相变层；所述相变层采用以下两种方式之一设置：悬空设置或覆盖于含孔隙或非金属材料的第一基底上，所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20％(V/V)以上。本发明的技术方案主要利用材料相变前后导致的近场热辐射效应中表面模式强度的差异，从而有效增强了近场辐射热流的调制。
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