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公开(公告)号：CN111913307B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010598278.9
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于导模共振的透明导电氧化物光透过率可调多层超表面，其特征在于，由下至上包括基底层、n个导模共振超表面层和n‑1个介质层，其中相邻两导模共振超表面层之间填充一介质层；导模共振超表面层包括硅介质平板(7)，硅介质平板(7)上周期性刻蚀出凹槽，凹槽深度与硅介质平板(7)厚度相同，每一凹槽内两侧填充介质层(8)、中间填充透明导电氧化物层(9)；每一硅介质平板(7)均设有第一电极，每一透明导电氧化物层(9)均设有第二电极；n为大于或等于2的整数。本发明在导模共振原理的基础上提供了更高的设计自由度，可以用于更加复杂的光学操控，在未来光器件集成领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111913307A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010598278.9
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于导模共振的透明导电氧化物光透过率可调多层超表面，其特征在于，由下至上包括基底层、n个导模共振超表面层和n-1个介质层，其中相邻两导模共振超表面层之间填充一介质层；导模共振超表面层包括硅介质平板(7)，硅介质平板(7)上周期性刻蚀出凹槽，凹槽深度与硅介质平板(7)厚度相同，每一凹槽内两侧填充介质层(8)、中间填充透明导电氧化物层(9)；每一硅介质平板(7)均设有第一电极，每一透明导电氧化物层(9)均设有第二电极；n为大于或等于2的整数。本发明在导模共振原理的基础上提供了更高的设计自由度，可以用于更加复杂的光学操控，在未来光器件集成领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111999916A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010711683.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面，其特征在于，包括基底层(1)，位于所述基底层(1)之上的导模共振超表面层；所述导模共振超表面层包括硅介质平板(2)，所述硅介质平板(2)上沿两正交方向周期性刻蚀出凹槽，其中凹槽深度小于所述硅介质平板(2)的厚度；在所述凹槽内表面依次填充介质层(3)、透明导电氧化物层(4)；所述硅介质平板(2)的非凹槽区设有第一电极(5)，所述透明导电氧化物层(4)上设有第二电极(6)。本发明能够同时独立调制两正交偏振态，可以用于更加复杂的应用场景，在未来光器件集成领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108107608A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711088750.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，包括基底层和设置于所述基底层上的硅波导层，所述硅波导层上表面设有多个介质层；从与所述硅波导层邻接的介质层起算，所有单数介质层上表面均设有透明导电氧化物层，所有双数介质层上表面均设有硅层；所述硅波导层和各所述硅层均设有第一电极，各所述透明导电氧化物层均设有第二电极。本发明采用多层MOS电容结构，实现偏振不敏感性。
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公开(公告)号：CN107741655A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710849754.8
申请日：2017-09-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/011 , G02F1/0136
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的双偏振同时独立调制的电光强度调制器，其特征在于，基底层上设置有脊型波导层；所述脊型波导的脊型凸起结构的顶部及两侧面依次覆盖第一介质层和透明导电氧化物层，且顶部的透明导电氧化物层与左右两侧面的所述透明导电氧化物层无连接；脊型波导的平板区上覆盖第二介质层；波导区两侧上表面分别设置一电极，即第一电极、第二电极；左右两侧面的透明导电氧化物层上分别设置一电极，即第三电极、第四电极；顶部的透明导电氧化物层上设置第五电极。本发明可对双偏振同时独立调制，可应用于但不限于偏振复用光通信系统，有效降低系统复杂度，提高端口密度。
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公开(公告)号：CN111999916B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010711683.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面，其特征在于，包括基底层(1)，位于所述基底层(1)之上的导模共振超表面层；所述导模共振超表面层包括硅介质平板(2)，所述硅介质平板(2)上沿两正交方向周期性刻蚀出凹槽，其中凹槽深度小于所述硅介质平板(2)的厚度；在所述凹槽内表面依次填充介质层(3)、透明导电氧化物层(4)；所述硅介质平板(2)的非凹槽区设有第一电极(5)，所述透明导电氧化物层(4)上设有第二电极(6)。本发明能够同时独立调制两正交偏振态，可以用于更加复杂的应用场景，在未来光器件集成领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108107608B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711088750.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光调制器，包括基底层和设置于所述基底层上的硅波导层，所述硅波导层上表面设有多个介质层；从与所述硅波导层邻接的介质层起算，所有单数介质层上表面均设有透明导电氧化物层，所有双数介质层上表面均设有硅层；所述硅波导层和各所述硅层均设有第一电极，各所述透明导电氧化物层均设有第二电极。本发明采用多层MOS电容结构，实现偏振不敏感性。
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公开(公告)号：CN107741656A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710857897.3
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/011
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的偏振不敏感的电光强度调制器，涉及光通信、光互联以及光器件集成领域。本发明的电光强度调制器包括基底层；基底层上设置有波导层，所述波导层为脊型波导；所述脊型波导的脊型凸起区覆盖介质层；所述波导的波导区两侧上表面分别设置一电极，即第一电极、第二电极；所述介质层上覆盖透明导电氧化物层；所述透明导电氧化物层上设置第三电极。本发明可对双偏振(TE和TM模)的损耗实现动态一致的调制，从而实现偏振不敏感调制；本发明可以降低偏振复用光通信系统的复杂度，降低成本，同时可以降低单偏振系统的偏振控制要求。
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