公开(公告)号：CN111585546B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202010274643.0

申请日：2020-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  于傲 ,  马跃驰 ,  王泽昊 ,  李睿意 ,  丁向向 ,  冯玉林 ,  张兴

IPC: H03K3/0233 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明实施例提供基于阻变存储器的非挥发性锁存器电路及操作方法，电路包括：第一传输门TG1、第二传输门TG2、第一双稳态电路、第二双稳态电路、第一选通管T1、第二选通管T2和RRAM；TG1输入端连接数据信号，TG1输出端分别连接第一双稳态电路的输入端和TG2的输入端；TG2输出端分别连接T1的源极、RRAM的顶电极端、第二双稳态电路的输入端和第二输出端；第二双稳态电路的第一输出端分别连接T2的源极和RRAM的底电极端；T1和T2的栅极分别连接CLK，T1的漏极连接第一双稳态电路的第二输出端，T2的漏极连接第一双稳态电路的第一输出端。可解决当外接偏置电压关闭时锁存器内部电平信号会丢失的问题。

公开(公告)号：CN111293219B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202010130112.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  王泽昊 ,  马跃驰 ,  于傲 ,  丁向向 ,  冯玉林 ,  张兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。

公开(公告)号：CN111585546A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010274643.0

申请日：2020-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  于傲 ,  马跃驰 ,  王泽昊 ,  李睿意 ,  丁向向 ,  冯玉林 ,  张兴

IPC: H03K3/0233 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明实施例提供基于阻变存储器的非挥发性锁存器电路及操作方法，电路包括：第一传输门TG1、第二传输门TG2、第一双稳态电路、第二双稳态电路、第一选通管T1、第二选通管T2和RRAM；TG1输入端连接数据信号，TG1输出端分别连接第一双稳态电路的输入端和TG2的输入端；TG2输出端分别连接T1的源极、RRAM的顶电极端、第二双稳态电路的输入端和第二输出端；第二双稳态电路的第一输出端分别连接T2的源极和RRAM的底电极端；T1和T2的栅极分别连接CLK，T1的漏极连接第一双稳态电路的第二输出端，T2的漏极连接第一双稳态电路的第一输出端。可解决当外接偏置电压关闭时锁存器内部电平信号会丢失的问题。

公开(公告)号：CN111293219A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010130112.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  王泽昊 ,  马跃驰 ,  于傲 ,  丁向向 ,  冯玉林 ,  张兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。