采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103882412A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410140035.5

    申请日:2014-04-09

    Abstract: 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法,属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置,通过输气管路引入放电气体,同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内,与放电气体混合,在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体,形成纳米级薄膜气相成分,射流枪由高压电源驱动,等离子体经射流枪射流头喷出,在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺,生产成本低,制备速度快,操作简便,无需真空设备,在大气压条件下即可完成,对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积,同时材料便于回收利用,安全环保,可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。

    掺氧混合气体放电等离子体氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法

    公开(公告)号:CN107887521A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201711045750.0

    申请日:2017-10-31

    CPC classification number: H01L51/5056 H01L51/0001 H01L51/56

    Abstract: 掺氧混合气体放电等离子体氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法,涉及太阳电池技术领域。整个处理过程包括下列步骤:(1)制备多层结构的钙钛矿太阳电池;(2)通入掺氧混合气体,用等离子体发生装置产生稳定均匀的低温等离子体,并调整放电参量;将钙钛矿太阳电池置于气体放电等离子体区域内,利用氧等离子体中活性基团与空穴传输层发生反应来迅速完成空穴传输层的功能化。该方法具有以下优点:反应过程快速、高效,并精确可控,可在几秒、十几秒内完成空穴传输层的功能化,获得较好的器件性能。与传统的在特定气体氛围内静置的方法相比,该方法工艺简单、控制性好、规模灵活,非常适宜应用在将来的工业化生产中。

    采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103882412B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410140035.5

    申请日:2014-04-09

    Abstract: 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法,属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置,通过输气管路引入放电气体,同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内,与放电气体混合,在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体,形成纳米级薄膜气相成分,射流枪由高压电源驱动,等离子体经射流枪射流头喷出,在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺,生产成本低,制备速度快,操作简便,无需真空设备,在大气压条件下即可完成,对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积,同时材料便于回收利用,安全环保,可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。

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