等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备

    公开(公告)号:CN109243955B

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201710561903.0

    申请日:2017-07-11

    发明人: 范光涛

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明提供一种等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备。该等离子体起辉状态监测方法包括:在等离子体开始起辉时,采集形成在基片表面的等离子体鞘层的对地交流电压信号;对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行处理,以获得等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压;判断等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压是否达到了等离子体的起辉成功电压,以确定等离子体是否起辉。该等离子体起辉状态监测方法通过对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行监测,能够判断等离子体的起辉状态是否正常,无需再采用等离子体光谱监测方法,从而不仅能够有效地监测等离子体辉光放电状态,而且有效地降低了等离子体起辉状态的监测成本。

    阻抗匹配装置及半导体加工设备

    公开(公告)号:CN108878240B

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201710325459.2

    申请日:2017-05-10

    发明人: 范光涛

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明公开了一种阻抗匹配装置。该装置包括:匹配网络,串接在射频电源和反应腔室之间,包括阻抗可调元件;多个适用不同射频功率检测范围的采集单元,多个采集单元并联后串接在射频电源和匹配网络之间,该采集单元用于采集射频电源和匹配网络之间所在传输线上的电信号并发送至控制单元;功率检测单元,用于检测射频电源当前输出的功率信号并发送至控制单元;控制单元,用于根据功率检测单元检测的功率信号大小选择适应的采集单元进行检测,并根据采集单元采集到的电信号来调节匹配网络中的阻抗可调元件。本发明还公开一种包含阻抗匹配装置的半导体加工设备。本发明可以在射频电源输出的射频功率大小连续变化时,实现自动匹配并提高匹配效果。

    阻抗匹配装置及半导体加工设备

    公开(公告)号:CN108878240A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201710325459.2

    申请日:2017-05-10

    发明人: 范光涛

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明公开了一种阻抗匹配装置。该装置包括:匹配网络,串接在射频电源和反应腔室之间,包括阻抗可调元件;多个适用不同射频功率检测范围的采集单元,多个采集单元并联后串接在射频电源和匹配网络之间,该采集单元用于采集射频电源和匹配网络之间所在传输线上的电信号并发送至控制单元;功率检测单元,用于检测射频电源当前输出的功率信号并发送至控制单元;控制单元,用于根据功率检测单元检测的功率信号大小选择适应的采集单元进行检测,并根据采集单元采集到的电信号来调节匹配网络中的阻抗可调元件。本发明还公开一种包含阻抗匹配装置的半导体加工设备。本发明可以在射频电源输出的射频功率大小连续变化时,实现自动匹配并提高匹配效果。

    等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备

    公开(公告)号:CN109243955A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201710561903.0

    申请日:2017-07-11

    发明人: 范光涛

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明提供一种等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备。该等离子体起辉状态监测方法包括:在等离子体开始起辉时,采集形成在基片表面的等离子体鞘层的对地交流电压信号;对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行处理,以获得等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压;判断等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压是否达到了等离子体的起辉成功电压,以确定等离子体是否起辉。该等离子体起辉状态监测方法通过对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行监测,能够判断等离子体的起辉状态是否正常,无需再采用等离子体光谱监测方法,从而不仅能够有效地监测等离子体辉光放电状态,而且有效地降低了等离子体起辉状态的监测成本。