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公开(公告)号：CN116482801A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310544841.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 北京化工大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种基于边模式实现Fano共振的结构，所述Fano共振的结构包括金属层，金属层内形成有输入通道、输出通道以及谐振腔；谐振腔为对称结构，且位于金属层内的中心位置；谐振腔分别与输入通道和输出通道直接耦合，输入通道连通于谐振腔的一侧，输出通道连通于谐振腔的另一侧，并且输入通道和输出通道位于同一直线上；输入通道和输出通道内填充有空气，谐振腔内填充有折射材料；共振系统的入射光能够穿过输入通道，并激发谐振腔内的边模式，从而获得Fano线型；本发明提供的基于边模式实现Fano共振的结构，进一步丰富了基于MIM波导实现Fano共振现象的方法，简化了实现Fano线型的结构体系，能够为多功能微纳光学器件的小型化和集成化发展提供新思路。
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