公开(公告)号：CN119207666B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411284915.X

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 端木正 ,  张晨 ,  肖航 ,  吕思远 ,  赵成龙 ,  巩啸风 ,  万蔡辛

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于多头自注意力深度学习的巨阻效应纳米线材料设计方法，包括：对材料数据库中的晶体结构，基于商图表示，通过有效配数方法将晶体结构编码为字符串，得到晶体训练数据；输入Transformer模型，基于多头自注意力机制，深度学习晶体编码的语法特征，得到普适的晶体神经网络；选择满足设定条件的巨阻效应纳米线材料数据构成数据集，输入普适的晶体神经网络，学习拓扑和化学成分特征，微调普适的晶体神经网络，得到特殊化晶体神经网络；使用训练好的特殊化晶体神经网络生成满足设定条件的字符串；逆向解码重建晶体结构；进行多步筛选，以获得满足化学组分的独特性、结构新颖性、稳定性和带隙范围的巨阻效应纳米线材料。

公开(公告)号：CN119207666A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411284915.X

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 端木正 ,  张晨 ,  肖航 ,  吕思远 ,  赵成龙 ,  巩啸风 ,  万蔡辛

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于多头自注意力深度学习的巨阻效应纳米线材料设计方法，包括：对材料数据库中的晶体结构，基于商图表示，通过有效配数方法将晶体结构编码为字符串，得到晶体训练数据；输入Transformer模型，基于多头自注意力机制，深度学习晶体编码的语法特征，得到普适的晶体神经网络；选择满足设定条件的巨阻效应纳米线材料数据构成数据集，输入普适的晶体神经网络，学习拓扑和化学成分特征，微调普适的晶体神经网络，得到特殊化晶体神经网络；使用训练好的特殊化晶体神经网络生成满足设定条件的字符串；逆向解码重建晶体结构；进行多步筛选，以获得满足化学组分的独特性、结构新颖性、稳定性和带隙范围的巨阻效应纳米线材料。