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公开(公告)号：CN103854863A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520504.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的双掺In量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将In杂质原子分别掺杂到PbS、CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。双掺In后PbS/CdS量子点半导体的吸收光能力明显增强，电池内部电子空穴的传输路径得到了明显的优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而电子可以更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854861A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520488.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的In掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将In杂质原子掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。通过优化电池内部电子空穴的传输路径，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，而使得电子更有效的注入到TiO2的导带中，减小了电池的串联电阻，从而减少电池内部的复合中心，提高了太阳能电池的填充因子。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN102568837A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110389155.5
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京信息科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的掺杂量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Cu、In、P、Mg、Sn、Co、Mn等杂质原子掺杂到半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池，掺杂后半导体的吸收光谱发生蓝移和红移，及形成p型和n型的半导体量子点，用此两种掺杂的量子点组装成量子点敏化太阳能电池，形成一个内部的p-n结内建电场，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，而使得电子更有效地注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，提高了此类太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854873A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520505.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的In掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将In杂质原子掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。In掺杂后CdS半导体的吸收光能力增强，电池内部电子空穴的传输路径得到明显优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而使得电子更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854872A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520502.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的铜铟掺杂量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Cu、In杂质原子分别掺杂到PbS、CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。Cu、In掺杂后PbS/CdS量子点半导体的吸收光能力明显增强，电池内部电子空穴的传输路径得到了明显的优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而电子可以更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103854870A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520487.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳能电池的铜铟掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Cu杂质原子和In杂质原子分别掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。通过杂质原子的引入，在CdS的禁带间形成了中间能级增加了光响应，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，而使得电子更有效的注入到TiO2的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854869A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520486.2
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳能电池的锰铜掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Mn杂质原子和Cu杂质原子分别掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。通过杂质原子的引入，在CdS的禁带间形成了中间能级增加了光响应，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854874A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520527.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的In掺杂PbS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将In杂质原子掺杂到PbS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。In掺杂后PbS半导体的吸收光能力增强，电池内部电子空穴的传输路径得到明显优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而电子可以更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854871A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520489.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳能电池的Mn掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Mn杂质原子掺杂到CdS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。通过掺杂在CdS量子点的禁带间引入中间能级而增加了光响应，优化了电池内部电子空穴的传输路径，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，而使得电子更有效的注入到TiO2的导带中，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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公开(公告)号：CN103854864A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520529.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳电池的Cu掺杂PbS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Cu杂质原子掺杂到PbS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。Cu掺杂后PbS半导体的吸收光能力增强，电池内部电子空穴的传输路径得到明显的优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而使得电子可以更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。
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