公开(公告)号：CN118150965B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410226841.8

申请日：2024-02-29

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 邵天骢 ,  郑琼林 ,  孙宇晗 ,  武宇东 ,  胡佩 ,  王凯 ,  白智同

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种基于损耗恒定控制的器件栅氧检测系统及方法，涉及宽禁带半导体功率器件技术领域，方法包括：通过控制至少一个待测半导体功率器件的开关频率，控制壳温最高的待测半导体功率器件损耗恒定不变，以对待测半导体功率器件进行老化测试，得到开关频率变化趋势和待测器件壳温变化趋势；若开关频率变化趋势保持恒定，则根据待测器件壳温变化趋势，得到待测半导体功率器件的导通电阻变化趋势；否则，判断待测半导体功率器件是否为壳温最高的器件，并根据判断结果和开关频率变化趋势，确定待测半导体功率器件的导通电阻变化趋势；根据导通电阻变化趋势，得到器件栅氧检测结果。发明通过控制器件损耗保持恒定不变，实现器件栅氧的在线检测。

公开(公告)号：CN118150965A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410226841.8

申请日：2024-02-29

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 邵天骢 ,  郑琼林 ,  孙宇晗 ,  武宇东 ,  胡佩 ,  王凯 ,  白智同

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种基于损耗恒定控制的器件栅氧检测系统及方法，涉及宽禁带半导体功率器件技术领域，方法包括：通过控制至少一个待测半导体功率器件的开关频率，控制壳温最高的待测半导体功率器件损耗恒定不变，以对待测半导体功率器件进行老化测试，得到开关频率变化趋势和待测器件壳温变化趋势；若开关频率变化趋势保持恒定，则根据待测器件壳温变化趋势，得到待测半导体功率器件的导通电阻变化趋势；否则，判断待测半导体功率器件是否为壳温最高的器件，并根据判断结果和开关频率变化趋势，确定待测半导体功率器件的导通电阻变化趋势；根据导通电阻变化趋势，得到器件栅氧检测结果。发明通过控制器件损耗保持恒定不变，实现器件栅氧的在线检测。