公开(公告)号：CN101593811B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910087810.4

申请日：2009-06-26

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  王赟 ,  徐征 ,  张福俊

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管，涉及一种新型结构的场效应器件，用于LCD平板显示中的像素驱动。它的结构包括：在ITO导电玻璃(1)上，依次制作绝缘层(2)，有源层(3)，源漏电极(4)和漏电极(5)。其中位于源电极和漏电极之间的沟道呈闭合圆环形。绝缘层(2)的材料采用SiO2或Si3N4；有源层(3)的材料采用并五苯或酞菁铜；源(4)、漏电极(5)的材料采用Al或者Au。绝缘层的厚度150～300nm，有源层的厚30～60nm。这种原型沟道器件比传统的直线沟道器件有更高的场效应迁移率，输出特性曲线更为陡峭，并且获得了更大的饱和输出电流，从而提高了器件的输出性能。

公开(公告)号：CN101593811A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910087810.4

申请日：2009-06-26

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  王赟 ,  徐征 ,  张福俊

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管，涉及一种新型结构的场效应器件，用于LCD平板显示中的像素驱动。它的结构包括：在ITO导电玻璃(1)上，依次制作绝缘层(2)，有源层(3)，源漏电极(4)和漏电极(5)。其中位于源电极和漏电极之间的沟道呈闭合圆环形。绝缘层(2)的材料采用SiO2或Si3N4；有源层(3)的材料采用并五苯或酞菁铜；源(4)、漏电极(5)的材料采用Al或者Au。绝缘层的厚度150～300nm，有源层的厚30～60nm。这种原型沟道器件比传统的直线沟道器件有更高的场效应迁移率，输出特性曲线更为陡峭，并且获得了更大的饱和输出电流，从而提高了器件的输出性能。