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发明公开
一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118667277A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410639430.1

申请日：2024-05-22

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 崔秋红 , 王启凯

IPC: C08L35/02 , C01B33/12 , C08K3/36

Abstract: 本发明提供了一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法。该方法包括：将二氧化硅纳米颗粒分散在树脂中，再在树脂中加入引发剂后混合均匀，制得二氧化硅的树脂悬浮液；将所述二氧化硅树脂悬浮液经微流控芯片剪切，紫外灯固化后，制得树脂/二氧化硅基光子晶体；在所述树脂/二氧化硅基光子晶体的表面部分包裹薄膜，得到被部分保护的光子晶体；将所述被部分保护的光子晶体经刻蚀液浸泡后，用清水洗涤多次，剥离薄膜，得到异质结光子晶体。本发明方法是一套能够批量、快速、可控的制备异质结光子晶体的新方法，能够大大推动异质结光子晶体的实际应用。

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