公开(公告)号：CN116891738B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310858144.X

申请日：2023-07-13

申请人： 北京交通大学

发明人： 唐爱伟 ,  牛文韬

IPC分类号： C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50

摘要： 本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异的结晶性、分散性及发光特性，做为发光层进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间较短，便于产业化大批量生产。

公开(公告)号：CN116891738A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310858144.X

申请日：2023-07-13

申请人： 北京交通大学

发明人： 唐爱伟 ,  牛文韬

IPC分类号： C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50

摘要： 本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶，制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽小于50nm，光致发光峰位于470‑480nm处。本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后，在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构，在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰，半峰全宽为36‑46nm，实现了窄谱带发光特性，具有构筑电致发光器件的前景；具有优异的结晶性、分散性及发光特性，做为发光层进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间较短，便于产业化大批量生产。