公开(公告)号：CN101441908A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810246622.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 延凤平 ,  简水生 ,  简伟 ,  王琳 ,  毛向桥 ,  刘鹏 ,  陶沛琳 ,  龚桃荣

IPC: H01B11/18 ,  H01B13/016 ,  H01P3/06

Abstract: 一种具有编码自定位功能的漏泄同轴及其制作方法，利用冲击模具，通过计算机编程控制的冲击床在漏泄同轴外导体用的铜带上轧出由固定结构的正反“E”字形主辐射槽和按照二进制排列方式变化的垂直“1”字形编码辐射槽周期性结构的辐射槽的工艺。将这种具有特殊结构辐射槽的铜带纵包成形漏泄同轴的外导体，并在外导体上挤塑聚乙烯护层制成固定结构的正反“E”字形主辐射槽和按照二进制排列方式变化的垂直“1”字形编码辐射槽周期性结构的辐射槽外导体的具有编码自定位功能的漏泄同轴。该漏泄同轴从它与高速移动体天线的耦合损耗曲线中可以解算出移动体在轨道上所处的物理位置，实现具有编码自定位功能的车地通信系统。具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN101041550B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200610169729.7

申请日：2006-12-28

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 魏淮 ,  郑凯 ,  毛向桥 ,  彭健 ,  李宏雷

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01815 ,  C03B2207/46 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置，尤其适用于掺杂光纤制作中疏松层的沉积过程，提高疏松层质量。该方法先对制冷气体进行低温冷却，然后使冷气通过喷气吹冷装置给MCVD沉积过程中的沉积管加热反应区下游降温，从而改变管内反应产生物颗粒的沉积附着过程，提高沉积效率，同时改善生成物颗粒附着层的质量。发明中还包含了制冷气体的冷却降温装置。使用本发明可以提高光纤预制棒生产效率和质量，特别是有利于提高用于制作光纤激光器和放大器的掺杂光纤的质量。

公开(公告)号：CN101033112A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610169807.3

申请日：2006-12-29

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 娄淑琴 ,  毛向桥 ,  卫延 ,  李宏雷 ,  李坚

IPC: C03B37/01 ,  C03B37/012

CPC classification number: C03B37/01217 ,  C03B2203/31

Abstract: 本发明提出了一种利用侧向对称开槽制作熊猫型保偏光纤的方法。该方法首先在已制备的预制棒棒心两侧，完全对称地进行纵向开槽，使两边槽的中心线和棒的中心线在同一平面上，两边槽的底部离棒中心线的距离相等；再将掺硼应力棒对称地嵌入预制棒两侧的槽中，使两侧掺硼应力棒的中心线和预制棒的中心线处于同一平面上；再一并放入纯石英套管中，用纯石英毛细棒填充空隙部分后，在一端烧结后拉制成光纤(如摘要附图所示)。该制作方法简单，廉价，成品率高且光纤的性能优越，得到的预制棒纵向均匀，且纵向长度很长，适合进行大规模的生产。

公开(公告)号：CN101441908B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810246622.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 延凤平 ,  简水生 ,  简伟 ,  王琳 ,  毛向桥 ,  刘鹏 ,  陶沛琳 ,  龚桃荣

IPC: H01B11/18 ,  H01B13/016 ,  H01P3/06

Abstract: 一种具有编码自定位功能的漏泄同轴及其制作方法，利用冲击模具，通过计算机编程控制的冲击床在漏泄同轴外导体用的铜带上轧出由固定结构的正反“E”字形主辐射槽和按照二进制排列方式变化的垂直“1”字形编码辐射槽周期性结构的辐射槽的工艺。将这种具有特殊结构辐射槽的铜带纵包成形漏泄同轴的外导体，并在外导体上挤塑聚乙烯护层制成固定结构的正反“E”字形主辐射槽和按照二进制排列方式变化的垂直“1”字形编码辐射槽周期性结构的辐射槽外导体的具有编码自定位功能的漏泄同轴。该漏泄同轴从它与高速移动体天线的耦合损耗曲线中可以解算出移动体在轨道上所处的物理位置，实现具有编码自定位功能的车地通信系统。具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN101041550A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610169729.7

申请日：2006-12-28

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 魏淮 ,  郑凯 ,  毛向桥 ,  彭健 ,  李宏雷

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01815 ,  C03B2207/46 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置，尤其适用于掺杂光纤制作中疏松层的沉积过程，提高疏松层质量。该方法先对制冷气体进行低温冷却，然后使冷气通过喷气吹冷装置给MCVD沉积过程中的沉积管加热反应区下游降温，从而改变管内反应产生物颗粒的沉积附着过程，提高沉积效率，同时改善生成物颗粒附着层的质量。本发明中还包含了制冷气体的冷却降温装置。使用本发明可以提高光纤预制棒生产效率和质量，特别是有利于提高用于制作光纤激光器和放大器的掺杂光纤的质量。