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公开(公告)号：CN115011333A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210601670.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaSx半导体纳米晶；所使用的合成方案产物随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制；能够获得光致发光光谱中位于600–800nm处缺陷发射更低的发光材料。
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公开(公告)号：CN117866623A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311709939.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射的特性；简化了步骤，合成简单便捷；随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制。
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公开(公告)号：CN116285963B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN115011333B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210601670.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaSx半导体纳米晶；所使用的合成方案产物随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制；能够获得光致发光光谱中位于600–800nm处缺陷发射更低的发光材料。
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公开(公告)号：CN116285963A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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