LTE上行控制信息的统一编码方法及系统

    公开(公告)号:CN102299770B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201110263664.3

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种LTE上行控制信息的统一编码方法及系统,属于长期演进信道编码技术领域。该方法通过一个码率为1/5的基本TBCC的两级穿孔来完成UCI在不同长度下的信道编码。第一级选择生成器,第二级删除多余的码字比特:代替LTE分组码时,可以根据UCI的大小,按照确定的穿孔图样来选择第一级所需要的生成器,以及第二级删除比特的个数和位置,得到码长为20或32的码字。代替LTE的TBCC码时,在第一级中选择原LTE的3个生成器即可,第二级不删除码字。本发明可以用一种统一的方法对PUCCH和PUSCH上的UCI进行编/译码,避免了用户端和基站端在多种编码和译码方法之间的选择,简化了系统的编/译码结构。

    LTE上行控制信息的统一编码方法及系统

    公开(公告)号:CN102299770A

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN201110263664.3

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种LTE上行控制信息的统一编码方法及系统,属于长期演进信道编码技术领域。该方法通过一个码率为1/5的基本TBCC的两级穿孔来完成UCI在不同长度下的信道编码。第一级选择生成器,第二级删除多余的码字比特:代替LTE分组码时,可以根据UCI的大小,按照确定的穿孔图样来选择第一级所需要的生成器,以及第二级删除比特的个数和位置,得到码长为20或32的码字。代替LTE的TBCC码时,在第一级中选择原LTE的3个生成器即可,第二级不删除码字。本发明可以用一种统一的方法对PUCCH和PUSCH上的UCI进行编/译码,避免了用户端和基站端在多种编码和译码方法之间的选择,简化了系统的编/译码结构。

    一种荷正电复合纳滤膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN117160262A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311045070.4

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 本发明属于纳滤膜改性技术领域,提供了一种荷正电复合纳滤膜及其制备方法。该荷正电复合纳滤膜的制备方法包括以下步骤:S1:基层膜浸入氨基化介孔SiO2纳米颗粒分散液,所述基层膜上游离的第一反应基团与介孔SiO2纳米颗粒的氨基反应,固化后生成氨基化介孔SiO2纳米颗粒中间层;S2:将S1制备的产品与分离层反应液反应,所述分离层反应液中包含的游离的第二反应基团与所述介孔SiO2纳米颗粒的氨基反应,生成分离层。本发明对介孔SiO2纳米颗粒进行表面氨基化修饰,为化学接枝提供位点并提供更高的荷正电性,提高了中间层与支撑层、分离层的粘附作用,和对二价阳离子的截留率和透水性。

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