公开(公告)号：CN102592014B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110459200.X

申请日：2011-12-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 尹飞飞 ,  徐征

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，涉及有机半导体集成电路领域器件模型的参数提取技术，提供了一种有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的参数提取方法，主要包括以下步骤：1)利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述其直流电流-电压特性；2)确定有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型中需要提取的参数：阈值电压VT，载流子迁移率幂律参数γa，场效应迁移率的特征电压Vaa，迁移率的饱和调制参数αsat，弯曲调制参数m，沟道长度调制参数λ，泄漏电流参数SIGMAA0；3)逐个确定各个参数的提取方法。利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型的参数提取方法准确描述有机薄膜晶体管的电流-电压特性。

公开(公告)号：CN102592014A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110459200.X

申请日：2011-12-31

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 尹飞飞 ,  徐征

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，涉及有机半导体集成电路领域器件模型的参数提取技术，提供了一种有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的参数提取方法，主要包括以下步骤：1)利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述其直流电流-电压特性；2)确定有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型中需要提取的参数：阈值电压VT，载流子迁移率幂律参数γa，场效应迁移率的特征电压Vaa，迁移率的饱和调制参数αsat，弯曲调制参数m，沟道长度调制参数λ，泄漏电流参数SIGMAA0；3)逐个确定各个参数的提取方法。利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型的参数提取方法准确描述有机薄膜晶体管的电流-电压特性。

公开(公告)号：CN102544369A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110447806.1

申请日：2011-12-28

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 陈跃宁 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  尹飞飞

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30

Abstract: 一种复合结构的有机薄膜晶体管，涉及一种电子元器，适用于显示器、传感器和无线射频识别标签等技术领域。提高解决了有机薄膜晶体管的性能。该有机薄膜晶体管包括：基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)或基底(101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102)；在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。