一种FeGa-RE系磁致伸缩材料及其制造工艺

    公开(公告)号:CN100463083C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200710101498.0

    申请日:2007-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种FeGa-RE系磁致伸缩材料及其制造工艺。磁致伸缩材料的其特征在于材料的成分是Fe83Ga17Dy、Fe83Ga17Tb、Fe83Ga17La或Fe85Ga15Tb0.5中的一种,附加掺杂含量为:C=200-600ppm,N=200-600ppm,O=200-700ppm。其制造工艺包括将原料精炼后的合金浇注成所需要的圆棒、对合金棒用高温度梯度快速凝固法或提拉法或Bridgman法,进行晶体定向生长,并通过调整温度梯度GL与生长速度V的比值得到 和 的晶体取向。其优点是:在低磁场下具有较高的λs、材料的力学性能高、材料的晶粒得到了细化、工艺条件要求不苛刻、材料的生产成本低,非常有利于实际应用。

    一种FeGa-RE系磁致伸缩材料及其制造工艺

    公开(公告)号:CN101086912A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200710101498.0

    申请日:2007-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种FeGa-RE系磁致伸缩材料及其制造工艺。磁致伸缩材料的其特征在于材料的成分主要由Fe、Ga和RE组成,Ga的含量为10-40at%,RE含量为0.01-20at%,附加掺杂含量为:C=200-600ppm,N=200-600ppm,O=200-700ppm,余量为Fe,材料中Ga成分的优选值为12-28at%,FeGa-RE系磁致伸缩材料,其材料的成分中加入了La、Ce、Pr、Nd、Tb、Dy中的一种或一种以上,含量为0.01-20at%。其制造工艺包括将原料精炼后的合金浇注成所需要的圆棒、对合金棒用高温度梯度快速凝固法或提拉法或Bridgman法,进行晶体定向生长,并通过调整温度梯度GL与生长速度V的比值得到 和 的晶体取向。其优点是:在低磁场下具有较高的λS、材料的力学性能高、材料的晶粒得到了细化、工艺条件要求不苛刻、材料的生产成本低,非常有利于实际应用。

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