公开(公告)号：CN102017211B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN200980116571.9

申请日：2009-03-12

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 乔纳森·杰姆斯·迈克尔·霍尔 ,  克雷格·墨菲 ,  森清隆

IPC: H01L51/10

CPC classification number: H01L51/105 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102

Abstract: 一种有机薄膜晶体管，包括源电极和漏电极(13、14)、设在所述源电极和漏电极间沟道区中的有机半导体(15)、栅电极(12)以及设在所述源电极及漏电极与所述栅电极之间的介电体(11)，其中所述源电极与所述漏电极包括至少一种互不相同的物理性质及/或材料性质。

公开(公告)号：CN102017211A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116571.9

申请日：2009-03-12

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 乔纳森·杰姆斯·迈克尔·霍尔 ,  克雷格·墨菲 ,  森清隆

IPC: H01L51/10

CPC classification number: H01L51/105 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102

Abstract: 一种有机薄膜晶体管，包括源电极和漏电极(13、14)、设在所述源电极和漏电极间沟道区中的有机半导体(15)、栅电极(12)以及设在所述源电极及漏电极与所述栅电极之间的介电体(11)，其中所述源电极与所述漏电极包括至少一种互不相同的的物理性质及/或材料性质。