公开(公告)号：CN107428089A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680020170.3

申请日：2016-04-07

Applicant: 出光统一科技株式会社

Inventor： 片田亮 ,  后藤修一 ,  垣上康治 ,  南波芳典

IPC: B29C65/14 ,  B23K20/00 ,  B23K26/354 ,  B31B70/74

Abstract: 在一体设有雄部(212)的带状的雄侧基体部(211A)和一体设有雌部(222)的雌侧基体部(221A)的与设有雄部(212)或者雌部(222)的一侧相反的一侧的面上，层叠形成吸光层(23)和接合层(24)。吸光层(23)含有对波长吸收范围为800nm以上且1200nm以下的激光进行吸光的吸光材料。接合层(24)含有熔点为60℃以上且120℃以下的低熔点树脂即茂金属系线性低密度聚乙烯。在将卡扣带(20)接合于基材薄膜(11)时，通过照射激光，对吸光层(23)进行加热而使接合层(24)熔融。将熔融了的接合层(24)压接于基材薄膜(11)而进行接合。基材薄膜(11)能够不发生热老化地进行接合。

公开(公告)号：CN107428089B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201680020170.3

申请日：2016-04-07

Applicant: 出光统一科技株式会社

Inventor： 片田亮 ,  后藤修一 ,  垣上康治 ,  南波芳典

IPC: B29C65/14 ,  B23K20/00 ,  B23K26/354 ,  B31B70/74

Abstract: 在一体设有雄部(212)的带状的雄侧基体部(211A)和一体设有雌部(222)的雌侧基体部(221A)的与设有雄部(212)或者雌部(222)的一侧相反的一侧的面上，层叠形成吸光层(23)和接合层(24)。吸光层(23)含有对波长吸收范围为800nm以上且1200nm以下的激光进行吸光的吸光材料。接合层(24)含有熔点为60℃以上且120℃以下的低熔点树脂即茂金属系线性低密度聚乙烯。在将卡扣带(20)接合于基材薄膜(11)时，通过照射激光，对吸光层(23)进行加热而使接合层(24)熔融。将熔融了的接合层(24)压接于基材薄膜(11)而进行接合。基材薄膜(11)能够不发生热老化地进行接合。

公开(公告)号：CN112389843B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202011219720.9

申请日：2016-04-07

Applicant: 出光统一科技株式会社

Inventor： 片田亮 ,  后藤修一 ,  垣上康治 ,  南波芳典

IPC: B65D33/25 ,  B31B70/81

Abstract: 在一体设有雄部(212)的带状的雄侧基体部(211A)和一体设有雌部(222)的雌侧基体部(221A)的与设有雄部(212)或者雌部(222)的一侧相反的一侧的面上，层叠形成吸光层(23)和接合层(24)。吸光层(23)含有对波长吸收范围为800nm以上且1200nm以下的激光进行吸光的吸光材料。接合层(24)含有熔点为60℃以上且120℃以下的低熔点树脂即茂金属系线性低密度聚乙烯。在将卡扣带(20)接合于基材薄膜(11)时，通过照射激光，对吸光层(23)进行加热而使接合层(24)熔融。将熔融了的接合层(24)压接于基材薄膜(11)而进行接合。基材薄膜(11)能够不发生热老化地进行接合。

公开(公告)号：CN112389843A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011219720.9

申请日：2016-04-07

Applicant: 出光统一科技株式会社

Inventor： 片田亮 ,  后藤修一 ,  垣上康治 ,  南波芳典

IPC: B65D33/25 ,  B31B70/81

Abstract: 在一体设有雄部(212)的带状的雄侧基体部(211A)和一体设有雌部(222)的雌侧基体部(221A)的与设有雄部(212)或者雌部(222)的一侧相反的一侧的面上，层叠形成吸光层(23)和接合层(24)。吸光层(23)含有对波长吸收范围为800nm以上且1200nm以下的激光进行吸光的吸光材料。接合层(24)含有熔点为60℃以上且120℃以下的低熔点树脂即茂金属系线性低密度聚乙烯。在将卡扣带(20)接合于基材薄膜(11)时，通过照射激光，对吸光层(23)进行加热而使接合层(24)熔融。将熔融了的接合层(24)压接于基材薄膜(11)而进行接合。基材薄膜(11)能够不发生热老化地进行接合。