公开(公告)号：CN100557726C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200480032223.0

申请日：2004-11-05

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 饭沼秀彦 ,  林政友 ,  松浦夏树 ,  小熊幸成

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  G03G9/00 ,  H01F1/36

Abstract: 本发明提供了一种具有高电介质击穿电压和适于电子照相显影饱和磁化强度的镁基铁氧体、包含铁氧体的载剂和包含该载剂的电子照相显影剂。本发明的镁基铁氧体材料包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al、Ga、Si、Ge、P、Sb、Bi或其组合。该镁基铁氧体材料的饱和磁化强度为30至80emu/g，电介质击穿电压为1.5至5.0kV。该镁基铁氧体材料能实现高的影像质量且符合环境规范。

公开(公告)号：CN101120420A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480032223.0

申请日：2004-11-05

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 饭沼秀彦 ,  林政友 ,  松浦夏树 ,  小熊幸成

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  G03G9/00 ,  H01F1/36

Abstract: 本发明提供了一种具有高电介质击穿电压和适于电子照相显影饱和磁化强度的镁基铁氧体、包含铁氧体的载剂和包含该载剂的电子照相显影剂。本发明的镁基铁氧体材料包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al、Ga、Si、Ge、P、Sb、Bi或其组合。该镁基铁氧体材料的饱和磁化强度为30至80emu/g，电介质击穿电压为1.5至5.0kV。该镁基铁氧体材料能实现高的影像质量且符合环境规范。