公开(公告)号：CN116571756A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310588173.9

申请日：2023-05-24

Applicant: 兰州理工大学 ,  金川集团股份有限公司

Inventor： 占发琦 ,  喇培清 ,  赵海燕 ,  陈大林 ,  李瑞欣 ,  温国昌 ,  朱敏 ,  郑月红

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/054 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B22F9/30 ,  B22F1/12

Abstract: 一种WO3光催化制备铂黑的方法，步骤包括：（1）配置一定浓度的氯铂酸溶液，向溶液中加入一定量的乙醇，用3 M的稀盐酸调节溶液pH值，其pH值为1.0；（2）向步骤（1）溶液中加入WO3半导体纳米颗粒，其粒径为50 nm，暗态搅拌30分钟，在紫外灯光照下反应一定时间后，抽滤分离干燥得到Pt/WO3颗粒；（3）将步骤（2）获得的Pt/WO3颗粒分散于0.1 M的NaOH溶液中进行碱浸，室温搅拌12 h，离心洗涤、真空干燥后得到单质铂黑纳米颗粒。

公开(公告)号：CN118851346A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410875211.3

申请日：2024-07-02

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 占发琦 ,  王兵 ,  温国昌 ,  李瑞欣 ,  喇培清 ,  赵燕春 ,  郑月红 ,  朱敏

IPC: C02F1/461 ,  C02F1/30

Abstract: 本发明公开了一种梯度掺杂BiVO4/WO3光阳极材料及其制备方法和应用，光阳极材料包括BiVO4/WO3异质结，BiVO4/WO3异质结表面和BiVO4与WO3之间的界面均掺杂有可变价过渡金属离子，可变价过渡金属离子包括Mo6+或Co2+中的一种。本发明采用上述的一种梯度掺杂BiVO4/WO3光阳极材料及其制备方法和应用，通过在BiVO4与WO3界面之间引入可变价过渡金属元素的方式，促进体相形成电子传输快速通道，改善了BiVO4/WO3异质结界面电荷分离传输效率；同时还通过在光阳极材料表面构筑可变价过渡金属元素的方式，在其表面形成了CoOOH助催化剂层，助催化剂层和界面电子传输快速通道协同作用，致使BiVO4/WO3异质结体相和表面的光生电荷得到高效分离和传输，从而提高光催化效率，延长光阳极材料的使用寿命。