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公开(公告)号：CN102381711A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110192471.3
申请日：2011-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，该方法包括以下步骤：(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后，室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将所述预处理硅粉放入微波等离子体提纯装置内的石英管中；(3)将所述石英管抽真空后，通过Ar气进气装置向所述石英管通入Ar气；(4)20分钟后，打开电源开关，开启微波发射源，进行Ar微波等离子体刻蚀实验，得到提纯后的冶金级多晶硅粉体；(5)刻蚀结束后，关闭所述电源开关及所述Ar气进气装置，待所述提纯后的冶金级多晶硅粉体自然冷却后取出，放入清洁无污染的环境中保存即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用，而且有效降低了能耗及生产成本，同时也降低了提纯的难度。
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公开(公告)号：CN102275931A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110192440.8
申请日：2011-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法，该方法包括以下步骤：(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后，室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将预处理硅粉放入氢氧焰等离子体提纯装置内的送料槽中；(3)打开所述氢氧焰等离子体提纯装置内的氢氧焰产生装置，预产生3～5分钟，以使火焰稳定；(4)打开送料槽，通过调节氢氧焰等离子体提纯装置内的左右控制弹簧的伸长尺寸使斜坡与水平面的夹角为10～40度，此时硅粉颗粒均匀下落并均匀有序地通过火焰，即得提纯后的冶金级多晶硅粉体；该提纯后的冶金级多晶硅粉体落入玻璃容器，收集即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用，而且有效降低了能耗及提纯成本，同时也降低了提纯的难度。
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公开(公告)号：CN102381710A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110192439.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种混合气体微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，该方法包括以下步骤：(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后，在室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将所述预处理硅粉放入微波等离子体提纯装置内的石英管中；(3)将所述石英管抽真空后，通过进气装置及洗气瓶向所述石英管通入混合气体；(4)20分钟后，打开电源开关，开启微波发射源，进行混合气体微波等离子体刻蚀实验，得到提纯后的冶金级多晶硅粉体；(5)刻蚀结束后，关闭所述电源开关及所述进气装置，待所述提纯后的冶金级多晶硅粉体自然冷却后取出，放入清洁无污染的环境中保存即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用，而且有效降低了能耗及生产成本，同时也降低了提纯的难度。
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公开(公告)号：CN102275931B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110192440.8
申请日：2011-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法，该方法包括以下步骤：a、将冶金级硅粉进行超声清洗后，室温下晾干，得到预处理硅粉；b、将预处理硅粉放入氢氧焰等离子体提纯装置内的送料槽中；c、打开所述氢氧焰等离子体提纯装置内的氢氧焰产生装置，预产生3～5分钟，以使火焰稳定；d、打开送料槽，通过调节氢氧焰等离子体提纯装置内的左右控制弹簧的伸长尺寸使斜坡与水平面的夹角为10～40度，此时硅粉颗粒均匀下落并均匀有序地通过火焰，即得提纯后的冶金级多晶硅粉体；该提纯后的冶金级多晶硅粉体落入玻璃容器，收集即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用，而且有效降低了能耗及提纯成本，同时也降低了提纯的难度。
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