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公开(公告)号：CN111139526A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010063893.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及二维层状材料研究领域，具体涉及一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法器。包括：使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗单晶衬底；将清洗的单晶衬底浸入氢氟酸溶液中处理；将高纯Ni靶安置在直流磁控溅射仪的靶位上，在单晶衬底上外延生长Ni(111)取向的薄膜；将镍/单晶衬底固定在样品托上，置入离子束溅射沉积设备的生长腔室中，通过氢气和氩气处理，进行薄膜生长；将生长的薄膜冷却，获得大尺寸单晶氮化硼薄膜。
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