公开(公告)号：CN116285962B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202310167192.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 刘伟生 ,  林远英

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明涉及长余辉荧光粉技术领域，具体为一种Eu2+激活的含氯硅酸盐长余辉材料及其制备方法和应用。Eu2+激活的含氯硅酸盐长余辉材料的化学通式为：LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln。本发明通过构建并验证LiSr3SiO4Cl3的基质参考和真空参考结合能(HRBE和VRBE)模型，提供了新型长余辉材料LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln的陷阱深度(0.89‑1.20eV)理论计算。本发明提供的LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln具有发射峰位于499nm的青色长余辉，其初始长余辉强度和衰减时间分别已经超过1000mcd/m2和20h，且同时兼具808nm，980nm近红外光激励(NIRPSL)和热激励(TSL)发光。本发明利用LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln实现了信息存储和防伪多功能应用。

公开(公告)号：CN116285962A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310167192.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 刘伟生 ,  林远英

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明涉及长余辉荧光粉技术领域，具体为一种Eu2+激活的含氯硅酸盐长余辉材料及其制备方法和应用。Eu2+激活的含氯硅酸盐长余辉材料的化学通式为：LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln。本发明通过构建并验证LiSr3SiO4Cl3的基质参考和真空参考结合能(HRBE和VRBE)模型，提供了新型长余辉材料LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln的陷阱深度(0.89‑1.20eV)理论计算。本发明提供的LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln具有发射峰位于499nm的青色长余辉，其初始长余辉强度和衰减时间分别已经超过1000mcd/m2和20h，且同时兼具808nm，980nm近红外光激励(NIRPSL)和热激励(TSL)发光。本发明利用LiSr3SiO4Cl3:Eu,Ln实现了信息存储和防伪多功能应用。