公开(公告)号：CN117594270A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311464296.8

申请日：2023-11-06

Applicant: 兰州大学

Inventor： 吕亮亮 ,  潘小东 ,  李公平 ,  孙淑义 ,  李畅 ,  金伟梁

IPC: G21F5/015 ,  G21F5/04 ,  G21F5/06 ,  G21F5/12 ,  G21F5/14

Abstract: 本发明提供一种放射源存储和使用一体化装置，包括放射源源罐、射线释放控制装置以及配套使用的放射源支撑架；放射源源罐内置放射源，放射源源罐底部连接射线释放控制装置，射线释放控制装置底部设有第一凹槽，放射源支撑架的一侧设有与射线释放控制装置底部大小一致的第二凹槽，用于固定射线释放控制装置，另一侧连接有气缸固定架，用于固定气缸。本发明通过将放射源的存储和使用设置为一体化结构，并配合多种开闭方式以控制射线的发射与关闭，避免了放射源从存储罐中转移至使用罐的流程，提高了高剂量发射源的存储和使用安全性。

公开(公告)号：CN111575653A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010389492.3

申请日：2020-05-10

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张催 ,  潘小东 ,  李公平 ,  李畅

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/50 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  G21K1/02

Abstract: 本发明公开了一种X射线吸收光栅及其制作方法，制作方法如下：(1)基底制备：选择厚度为几十至几百微米的双面抛光硅片作为基底片，均匀涂抹一层SU8光刻胶，制作与X射线吸收光栅图案匹配的掩膜版，在SU8光刻胶上显影出X射线吸收光栅图案，然后刻蚀X射线吸收光栅图案，再去除基底片表面的SU8光刻胶，得到具有X射线吸收光栅图案的硅基底；(2)蒸发镀膜：硅基底上蒸发镀膜，镀膜时将硅基底匀速旋转和平移；(3)表面去膜：镀膜结束后，去除硅基底表面的金属膜层，保留硅基底槽内的膜层，完成X射线吸收光栅的制作。本发明提出的X射线吸收光栅制作方法简单高效、稳定可靠、成本可控，制作出的X射线吸收光栅的结构稳定、厚度均匀、性能可靠。