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公开(公告)号：CN104016315A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410258247.3
申请日：2014-06-12
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B21/072 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种制备氮化铝纳米管阵列的方法，该方法包括如下步骤，(1)抽真空；(2)氨气以及氯化铝于150～200℃蒸发产生的蒸气在载气的作用下混合流过温度为750～850℃的生长衬底表面，混合流过40-60min后，即在生长衬底上得到氮化铝纳米管阵列。与现有气相沉积法生长氮化铝纳米管相比，本发明所述方法的生长温度更低，且无需使用催化剂，在常用的生长衬底均可生长得到氮化铝纳米管阵列。
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