公开(公告)号：CN117253639A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311225118.X

申请日：2023-09-21

Applicant: 兰州大学

Inventor： 方开洪 ,  裴新峰 ,  乔宇洁 ,  吕锦锋 ,  张硕 ,  王强

IPC: G21F5/015 ,  G21F5/06 ,  G21K5/00

Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种用于热中子照相及辐射防护的装置，所述的装置包括热中子准直装置、源腔辐射防护装置、提源腔和提源装置，所述的热中子照相装置垂直设置于源腔辐射防护装置上，所述的提源腔贯穿热中子照相装置和源腔辐射防护装置，所述的提源装置置于提源腔中；源处于储存位时，装置表面5cm处的总剂量率S≤10μSv/h，装置表面50cm处的总剂量率S≤5μSv/h；源处于工作位时，准直器处中子注量率≥1.0×103cm‑2s‑1，热中子准直效率(热中子注量率/源中子产额)≥1.0×10‑5cm‑2。可以使同位素中子源的中子产额降低10倍左右，降低了热中子照相装置辐射防护的难度和建造成本，并提高了使用时安全性和便捷性。