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公开(公告)号：CN1378703A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814074.X
申请日：2000-10-16
IPC: H01L21/28 , H01L29/792
Abstract: 一种于二位EEPROM装置(10)制造ONO浮动栅极电极(26)的方法,包括使用高温氧化物(HTO)沉积处理形成顶氧化物层(32),其中HTO处理是在700至约800℃温度利用LPCVD或RTCVD沉积处理器进行。该方法进一步包括使用原位LPCVD或RTCVD沉积处理循序形成一层氮化硅层(30)及一层顶氧化物层(32),其中于形成顶氧化物层(32)之前,氮化硅层(30)未暴露于周围气氛。使用HTO沉积处理形成顶氧化物层(32),经由减少ONO浮动栅极电极(26)的电荷泄漏而提供改进的二位EEPROM内存装置(10)。
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