公开(公告)号：CN1293617C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN01817027.7

申请日：2001-08-06

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： S·哈达 ,  M·W·兰道夫 ,  何月松 ,  T·图尔盖特 ,  张稷 ,  黄雅之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及一种制造闪存单元(32)的方法，包括下列步骤：提供一个在其上有闪存单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上生长一个自对准源极掩模(48)，该自对准源极掩模(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；经由自对准源极掩模(48)上与源极线相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自对准源极掩模(48)；在基底(30)上生长一层MDD掩模(54)，该MDD掩模(54)会覆盖在源极线(52)上，而且有对应至漏极线的开口(56)；以及注入第二类中等剂量漏极注入子，而在毗邻闪存单元(32)的基底(30)内，形成漏极区域(58)。

公开(公告)号：CN1222987C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01817852.9

申请日：2001-08-06

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： 何月松 ,  S·哈达 ,  T·什盖特 ,  张稷

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明的一个方面是有关于一种制造闪速存储单元(32)的方法，该方法包括下列步骤：提供一个在其上有闪速存储单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上形成一个自动对齐源极掩膜(48)，该自动对齐源极掩膜(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；穿过自动对齐源极掩膜(48)中根据源极线而有的相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自动对齐源极掩膜(48)；清洗基底(30)；以及注入第二类中等剂量漏极注入离子，以在毗邻闪速存储单元(32)的基底(30)内，形成一个源极区域(54)和一个漏极区域(56)。

公开(公告)号：CN1471728A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN01817852.9

申请日：2001-08-06

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： 何月松 ,  S·哈达 ,  T·什盖特 ,  张稷

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明的一个方面系有关于一种制造闪速存储单元(32)的方法，该方法包括下列步骤：提供一个在其上有闪速存储单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上形成一个自动对齐源极掩膜(48)，该自动对齐源极掩膜(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；穿过自动对齐源极掩膜(48)中根据源极线而有的相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自动对齐源极掩膜(48)；清洗基底(30)；以及注入第二类中等剂量漏极注入离子，以在毗邻闪速存储单元(32)的基底(30)内，形成一个源极区域(54)和一个漏极区域(56)。

公开(公告)号：CN1468447A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN01817027.7

申请日：2001-08-06

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： S·哈达 ,  M·W·兰道夫 ,  何月松 ,  T·图尔盖特 ,  张稷 ,  黄雅之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及一种制造闪存单元(32)的方法，包括下列步骤：提供一个在其上有闪存单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上生长一个自对准源极掩模(48)，该自对准源极掩模(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；经由自对准源极掩模(48)上与源极线相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自对准源极掩模(48)；在基底(30)上生长一层MDD掩模(54)，该MDD掩模(54)会覆盖在源极线(52)上，而且有对应至漏极线的开口(56)；以及注入第二类中等剂量漏极注入子，而在毗邻闪存单元(32)的基底(30)内，形成漏极区域(58)。