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公开(公告)号：CN112526824B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202011396352.5
申请日：2018-12-13
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: G03F7/004 , C08F222/40 , C08F220/14 , C08F216/04 , C08F220/22
Abstract: 本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用，所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中，其上层可兼容光刻胶，所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
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公开(公告)号：CN111856888B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010638023.0
申请日：2020-07-03
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种增强密集图形光刻分辨率的方法，包括执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；执行胶层处理工艺；再次执行胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，第二掩模图案中的图形与第一掩模图案中的图形间隔设置；其中，胶图案化工艺包括：在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；通过光刻曝光工艺在第一胶层上形成曝光区和非曝光区；采用第一溶剂去除曝光区和第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除曝光区，再采用第三溶剂去除第二胶层的部分区域，从而在第一胶层形成第一图案，在第二胶层形成第二图案，第二图案是在第一图案基础上缩进后的图案；采用第四溶剂去除非曝光区；胶层处理工艺用于使第一胶层耐第一溶剂或第三溶剂溶解。
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公开(公告)号：CN112526824A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011396352.5
申请日：2018-12-13
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: G03F7/004 , C08F222/40 , C08F220/14 , C08F216/04 , C08F220/22
Abstract: 本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用，所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中，其上层可兼容光刻胶，所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
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公开(公告)号：CN108628101B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810383600.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种电子束光刻胶组合物，其主要成分包括卤代丙烯酸酯共聚物和光致产酸剂，所述卤代丙烯酸酯共聚物为卤代丙烯酸酯单体单元和芳香族丙烯酸酯或芳香族烯类单体单元的共聚物。通过引入侧链取代的卤族原子及刚性的芳香环，并选取了合适的单体单元的组合，本发明组合物中的共聚物具有较高的灵敏度和抗蚀性能。此外，本发明组合物中还具有光致产酸剂，能够加速组合物中的共聚物的裂解，有效提高了曝光效率，进一步提高了光刻胶的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112521552B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011405540.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F216/04 , C08F220/22 , C08F220/18 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种聚合物树脂，其具如下通式：其中，R1、R2、R3、R4、R6、R8中的每个选自H、苯基或含1‑4个碳的烷烃基团；R5选自含1‑10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团，苯基或苄基；R7选自1‑10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团；X选自含1‑10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团，醚类基团，酯基，酰胺基团或芳香基团。本发明还公开了该聚合物树脂的制备方法、包含该聚合物树脂的金属剥离胶组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111944090B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910489077.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种聚合物树脂，其具有如结构式I～III所示的结构单元：其中，x、y、z表示该结构单元在所有结构单元中的数量占比，分别为30％‑70％、2％‑40％、2％‑30％。该聚合物树脂具有优良的热力学性能及溶解性能，由其作为主体树脂配制而成的金属剥离胶，能够广泛应用于金属剥离工艺。本发明还公开了该聚合物树脂的制备方法、包含该聚合物树脂的金属剥离胶组合物，以及金属剥离胶组合物的应用。
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公开(公告)号：CN112521552A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011405540.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F216/04 , C08F220/22 , C08F220/18 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种聚合物树脂，其具如下通式：其中，R1、R2、R3、R4、R6、R8中的每个选自H、苯基或含1‑4个碳的烷烃基团；R5选自含1‑10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团，苯基或苄基；R7选自1‑10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团；X选自含1‑10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团，醚类基团，酯基，酰胺基团或芳香基团。本发明还公开了该聚合物树脂的制备方法、包含该聚合物树脂的金属剥离胶组合物。
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公开(公告)号：CN111856888A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010638023.0
申请日：2020-07-03
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种增强密集图形光刻分辨率的方法，包括执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；执行胶层处理工艺；再次执行胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，第二掩模图案中的图形与第一掩模图案中的图形间隔设置；其中，胶图案化工艺包括：在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；通过光刻曝光工艺在第一胶层上形成曝光区和非曝光区；采用第一溶剂去除曝光区和第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除曝光区，再采用第三溶剂去除第二胶层的部分区域，从而在第一胶层形成第一图案，在第二胶层形成第二图案，第二图案是在第一图案基础上缩进后的图案；采用第四溶剂去除非曝光区；胶层处理工艺用于使第一胶层耐第一溶剂或第三溶剂溶解。
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公开(公告)号：CN110358010A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910655315.2
申请日：2019-07-19
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: C08F234/00 , C08F220/14 , C08F212/14 , C08F220/06 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种碱溶性聚合物树脂，其具有如结构式I～V所示的结构单元：其中，x、y、z、w、v表示该结构单元在所有结构单元中的数量占比，分别为40-70％、0-20％、10-30％、0-10％、5-20％。该碱溶性聚合物树脂具有优良的热力学性能、黏附性能和碱溶可调性能，由其作为主体树脂配制而成的金属剥离胶，能够广泛应用于金属剥离工艺。本发明还公开了该聚合物树脂的制备方法、包含该聚合物树脂的金属剥离胶组合物，以及金属剥离胶组合物的应用。
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公开(公告)号：CN109679023A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811525923.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 儒芯微电子材料(上海)有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F216/02 , C09J135/00
CPC classification number: C08F222/40 , C09J135/00 , C08F220/14 , C08F216/02
Abstract: 本发明公开了一种聚合物树脂，其具如下通式：其中，R1、R2、R3、R4、R6、R8中的每个选自H、苯基或含1-4个碳的烷烃基团；R5选自含1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团，苯基或苄基；R7选自1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团；X选自含1-10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团，醚类基团，酯基，酰胺基团或芳香基团。本发明还公开了该聚合物树脂的制备方法、包含该聚合物树脂的金属剥离胶组合物，以及金属剥离胶组合物的应用。
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