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公开(公告)号:CN114829667A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202080088163.3
申请日:2020-12-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 通过对包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相的喷涂粉进行等离子体喷涂,制造包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相、维氏硬度为350以上的氟化钇系喷涂被膜。能够提供被膜硬度高、暴露于卤素系气体等离子体时产生的粒子量少的氟化钇系喷涂被膜,这样的喷涂被膜作为半导体制造工序中使用的半导体制造装置用构件中所形成的喷涂被膜优异。另外,根据本发明,能够高效率地制造这样的氟化钇系喷涂被膜。
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公开(公告)号:CN111826601A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN202010277350.8
申请日:2020-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供喷涂材料及制备方法、喷涂浆料、喷涂涂层及形成方法、和喷涂构件。包含稀土(R)、铝和氧的喷涂材料,该喷涂材料为粉末且包含单斜稀土(R)铝(R4Al2O9)结晶相和稀土氧化物(R2O3)结晶相,关于通过X射线衍射法使用Cu–Kα的特征X射线在10°至70°的衍射角2θ范围之内检测的衍射峰,该喷涂材料具有归属于稀土氧化物(R2O3)的衍射峰和归属于单斜稀土(R)铝(R4Al2O9)的衍射峰,归属于稀土氧化物(R2O3)的最大衍射峰的积分强度I(R)与归属于单斜稀土铝(R4Al2O9)的最大衍射峰的积分强度I(RAL)的强度比例I(R)/I(RAL)为至少1。
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