公开(公告)号：CN104024160A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380004227.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 西峰正进 ,  福冈宏文

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/48

CPC classification number: C01B33/113 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 通过以下方式连续制备氧化硅沉积物：将含有二氧化硅粉末的粉末进料供给至反应室，将该进料在1200-1600℃下加热以产生氧化硅蒸气，将该蒸气通过维持在或高于反应室的温度的传送管线输送至沉积室，从而引起氧化硅沉积在冷基板上，从沉积室移除氧化硅沉积物。提供两个沉积室，且输送蒸气的步骤交替地从一个沉积室转换至另一个沉积室。

公开(公告)号：CN104024160B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201380004227.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 西峰正进 ,  福冈宏文

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/48

CPC classification number: C01B33/113 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 通过以下方式连续制备氧化硅沉积物：将含有二氧化硅粉末的粉末进料供给至反应室，将该进料在1200‑1600℃下加热以产生氧化硅蒸气，将该蒸气通过维持在或高于反应室的温度的传送管线输送至沉积室，从而引起氧化硅沉积在冷基板上，从沉积室移除氧化硅沉积物。提供两个沉积室，且输送蒸气的步骤交替地从一个沉积室转换至另一个沉积室。